WORDLINE SIDEWALL CONTACTS IN 3D NAND STRUCTURES

A three-dimensional (3D) NAND memory structure may include material layers arranged in a vertical stack including alternating horizontal insulating layers and wordline layers. The material layers may be etched to form a landing pad. A vertical wordline may extend through one or more of the horizontal wordline layers beneath the landing pad. The vertical wordline may be conductively connected to a top horizontal wordline, and the vertical wordline may be insulated from any of the horizontal wordlines that the vertical wordline extends through beneath the top horizontal wordline. A liner may also be formed over a top horizontal wordline at the landing pad. Une structure de mémoire NON-ET tridimensionnelle (3D) peut comprendre des couches de matériau disposées dans un empilement vertical comprenant des couches isolantes horizontales et des couches de ligne de mots alternées. Les couches de matériau peuvent être gravées pour former une plage de connexion. Une ligne de mots verticale peut s'étendre à travers une ou plusieurs des couches de ligne de mots horizontale sous la plage de connexion. La ligne de mots verticale peut être connectée de manière conductrice à une ligne de mots horizontale supérieure, et la ligne de mots verticale peut être isolée de l'une quelconque des lignes de mots horizontales à travers lesquelles la ligne de mots verticale s'étend sous la ligne de mots horizontale supérieure. Un revêtement peut également être formé sur une ligne de mots horizontale supérieure au niveau de la plage de connexion.