THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE INCLUDING TRENCH BRIDGES AND METHODS OF FORMING THE SAME

A three-dimensional memory device includes layer stacks each of which includes a first-tier alternating stack of first insulating layers and first electrically conductive layers and a second-tier alternating stack of second insulating layers and second electrically conductive layers separated by a b...

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: MATSUNO, Koichi
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:A three-dimensional memory device includes layer stacks each of which includes a first-tier alternating stack of first insulating layers and first electrically conductive layers and a second-tier alternating stack of second insulating layers and second electrically conductive layers separated by a backside trench. Memory opening fill structures vertically extend through a respective layer stack, and includes a respective vertical stack of memory elements and a respective vertical semiconductor channel. In one embodiment, a bridge structure spans an entire width of the backside trench such that a top surface of the bridge structure is located below a top surface of the second-tier alternating stack, and a bottom surface of the bridge structure is located above a bottom surface of the first-tier alternating stack. In another embodiment, a perforated bridge structure includes a plurality of vertically-extending openings. La présente invention concerne un dispositif de mémoire tridimensionnelle qui comprend des empilements de couches dont chacun comprend un empilement alterné de premier niveau de premières couches isolantes et de premières couches électroconductrices et un empilement alterné de second niveau de secondes couches isolantes et de secondes couches électroconductrices séparés par une tranchée arrière. Des structures de remplissage d'ouverture de mémoire s'étendent verticalement à travers un empilement de couches respectif, et comprennent un empilement vertical respectif d'éléments de mémoire et un canal semi-conducteur vertical respectif. Dans un mode de réalisation, une structure de pont s'étend sur toute la largeur de la tranchée arrière de telle sorte qu'une surface supérieure de la structure de pont est située au-dessous d'une surface supérieure de l'empilement alterné de second niveau, et une surface inférieure de la structure de pont est située au-dessus d'une surface inférieure de l'empilement alterné de premier niveau. Dans un autre mode de réalisation, une structure de pont perforée comprend une pluralité d'ouvertures s'étendant verticalement.