MEMORY CONTROLLER FOR A HIGH CAPACITY MEMORY CIRCUIT WITH LARGE NUMBER OF INDEPENDENTLY ACCESSIBLE MEMORY BANKS

A memory system includes a memory device including an array of storage transistors organized in multiple memory banks, each memory bank including multiple memory pages; and a control circuit configured to interact with the memory device to perform read and write operations. The control circuit includes a read queue configured to store active read requests, a write queue configured to store active write requests, and a write staging buffer configured to store pending write requests received by the control circuit and to transfer the pending write requests to the write queue to maximize the number of active write requests that are addressed to different memory banks of the memory device. In other embodiments, a memory system includes a control circuit configured to interact with a memory device to perform read and write operations implements virtual memory bank addressing. Un système de mémoire comprend un dispositif de mémoire comprenant un groupement de transistors de stockage organisés en de multiples bancs de mémoire, chaque banc de mémoire comprenant de multiples pages de mémoire; et un circuit de commande configuré pour interagir avec le dispositif de mémoire afin d'effectuer des opérations de lecture et d'écriture. Le circuit de commande comprend une file d'attente de lecture configurée pour stocker des demandes de lecture actives, une file d'attente d'écriture configurée pour stocker des demandes d'écriture actives, et un tampon d'activation d'écriture configuré pour stocker des demandes d'écriture en attente reçues par le circuit de commande et pour transférer les demandes d'écriture en attente à la file d'attente d'écriture de façon à maximiser le nombre de demandes d'écriture actives qui sont adressées à différents bancs de mémoire du dispositif de mémoire. Selon d'autres modes de réalisation, un système de mémoire comprend un circuit de commande configuré pour interagir avec un dispositif de mémoire afin d'effectuer des opérations de lecture et d'écriture mettant en œuvre un adressage de bancs de mémoire virtuels.