CENTERING WAFER FOR PROCESSING CHAMBER

Processing chambers, substrate supports, centering wafers and methods of center calibrating wafer hand-off are described. A centering wafer comprises a disc-shaped body having a top surface and a bottom surface defining a thickness, a center, an outer edge having an outer peripheral face, a first arc-shaped slit and a second arc-shaped slit. Embodiments of the disclosure advantageously provide the ability to use the centering wafer to monitor and control backside pressure and thereby determine the center of a substrate support prior to processing the centering wafer. The centering wafer may be centered at a plurality of different angles by rotating the centering wafer. La présente invention concerne des chambres de traitement, des supports de substrat, des tranches de centrage et des procédés d'étalonnage de centre de tranche. Une tranche de centrage comprend un corps en forme de disque ayant une surface supérieure et une surface inférieure délimitant une épaisseur, un centre, un bord externe ayant une face périphérique externe, une première fente en forme d'arc et une seconde fente en forme d'arc. Les modes de réalisation de la présente divulgation permettent avantageusement d'utiliser la tranche de centrage pour surveiller et régler la pression de la face arrière et déterminer ainsi le centre d'un support de substrat avant le traitement de la tranche de centrage. La tranche de centrage peut être centrée au niveau d'une pluralité d'angles différents par rotation.