METHOD OF FORMING PHOTOSENSITIVE ORGANOMETALLIC OXIDES BY CHEMICAL VAPOR POLYMERIZATION

Embodiments of methods are provided to form an EUV-active photoresist film for use in EUV photolithographic processes. The methods disclosed herein may generally include forming an extreme ultraviolet (EUV)-active photoresist film on a surface of the semiconductor substrate, where the EUV-active pho...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	TAPILY, Kandabara, MATSUKI, Nobuo
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CINEMATOGRAPHY ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Embodiments of methods are provided to form an EUV-active photoresist film for use in EUV photolithographic processes. The methods disclosed herein may generally include forming an extreme ultraviolet (EUV)-active photoresist film on a surface of the semiconductor substrate, where the EUV-active photoresist film is an organometallic oxide with polymerized carbon-carbon bonds, and patterning the EUV-active photoresist film with EUV lithography to form a patterned photoresist on the surface of the semiconductor substrate. La présente invention concerne des modes de réalisation de procédés permettant de former un film de résine photosensible actif sensible aux EUV destiné à être utilisé dans des procédés photolithographiques EUV. Les procédés de l'invention peuvent consister, de manière générale, à former un film de résine photosensible actif sensible aux ultraviolets extrêmes (EUV) sur une surface du substrat semi-conducteur, le film de résine photosensible actif sensible aux EUV étant un oxyde organométallique ayant des liaisons carbone-carbone polymérisées, et à former des motifs sur le film de résine photosensible actif sensible aux EUV par lithographie EUV pour former une résine photosensible à motifs sur la surface du substrat semi-conducteur.