NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

A nitride-based semiconductor device includes a first III-V nitride-based semiconductor layer, a second III-V nitride-based semiconductor layer, a group III oxide layer, and a gate electrode. The second III-V nitride-based semiconductor layer is disposed over the first III-V nitride-based semiconductor layer and has a bandgap higher than a bandgap of the first III-V nitride-based semiconductor layer. The group III oxide layer is attached to the second III-V nitride-based semiconductor layer and laterally overlaps with the second III-V nitride-based semiconductor layer. The gate electrode is disposed over the second III-V nitride-based semiconductor layer and in contact with the group III oxide layer and the second III-V nitride-based semiconductor layer. La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur à base de nitrure comprenant une première couche semi-conductrice à base de nitrure III-V, une seconde couche semi-conductrice à base de nitrure III-V, une couche d'oxyde du groupe III et une électrode de grille. La seconde couche semi-conductrice à base de nitrure III-V est disposée sur la première couche semi-conductrice à base de nitrure III-V et a une bande interdite supérieure à une bande interdite de la première couche semi-conductrice à base de nitrure III-V. La couche d'oxyde du groupe III est fixée à la seconde couche semi-conductrice à base de nitrure III-V et chevauche latéralement la seconde couche semi-conductrice à base de nitrure III-V. L'électrode de grille est disposée sur la seconde couche semi-conductrice à base de nitrure III-V et en contact avec la couche d'oxyde du groupe III et la seconde couche semi-conductrice à base de nitrure III-V.