NITRIDE-BASED SEMICONDUCTORDEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

A nitride-based semiconductor deviceincludes a first and a second nitride-based semiconductor layers, a source and a drain electrodes, a doped nitride-based semiconductor layer, and a gate electrode. The source electrode is disposed over the second nitride-based semiconductor layer and includes a first and a second conductive layers. The drain electrode is disposed over the second nitride-based semiconductor layer and includes a third and a fourth conductive layers. The doped nitride-based semiconductor layer is disposed over the second nitride-based semiconductor layer and between the source electrode and the drain electrode. The gate electrode is disposed over the doped nitride-based semiconductor layer and between the source electrode and the drain electrode and includes a fifth and a sixth conductive layers. The second, fourth, and sixth conductive layers have the same material. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur à base de nitrure qui comprend une première et une seconde couche semi-conductrice à base de nitrure, une électrode de source et une électrode de drain, une couche semi-conductrice à base de nitrure dopée et une électrode de grille. L'électrode de source est disposée sur la seconde couche semi-conductrice à base de nitrure et comprend une première et une deuxième couche conductrice. L'électrode de drain est disposée sur la seconde couche semi-conductrice à base de nitrure et comprend une troisième et une quatrième couche conductrice. La couche semi-conductrice à base de nitrure dopée est disposée sur la seconde couche semi-conductrice à base de nitrure et entre l'électrode de source et l'électrode de drain. L'électrode de grille est disposée sur la couche semi-conductrice à base de nitrure dopée et entre l'électrode de source et l'électrode de drain et comprend une cinquième et une sixième couche conductrice. Les deuxième, quatrième et sixième couches conductrices comprennent le même matériau.