COMPOSITION AND METHOD FOR CONDUCTING A MATERIAL REMOVING OPERATION

In one embodiment, a polishing composition can comprise abrasive particles including zirconia, an oxidizing agent including hydroxylamine and water. The polishing composition can have a high copper removal rate of at least 3500 Å/min, and a polishing selectivity of copper to silicon dioxide(Cu:SiO2) can be at least 2.5:1. In another embodiment, a combination product can comprise a first polishing composition and a second polishing composition, wherein each of the first polishing composition and the second polishing composition can comprise abrasive particles including zirconia and an oxidizing agent including hydroxylamine, wherein a hydroxylamine weight% ratio of the first polishing composition to the second polishing composition may be at least 5:1. Dans un mode de réalisation, une composition de polissage peut comprendre des particules abrasives comprenant de la zircone, un agent oxydant comprenant de l'hydroxylamine et de l'eau. La composition de polissage peut avoir un taux d'élimination de cuivre élevé d'au moins 3 500 Å/min, et une sélectivité de polissage du cuivre au dioxyde de silicium (Cu:SiO2) peut être d'au moins 2,5:1. Dans un autre mode de réalisation, un produit de combinaison peut comprendre une première composition de polissage et une seconde composition de polissage, chacune de la première composition de polissage et de la seconde composition de polissage pouvant comprendre des particules abrasives comprenant de la zircone et un agent oxydant comprenant de l'hydroxylamine, un rapport en % en poids d'hydroxylamine de la première composition de polissage à la seconde composition de polissage pouvant être d'au moins 5:1.