SUBSTRATE MODIFICATION FOR SUPERLATTICE CRITICAL THICKNESS IMPROVEMENT

A method and apparatus for forming strain relaxed buffers that may be used in semiconductor devices incorporating superlattice structures are provided. The method includes epitaxially depositing a first silicon germanium layer over the substrate. The first silicon germanium layer has a first surface that contacts a frontside surface of the substrate and a second surface opposite the first surface. The first silicon germanium layer has a first thickness and a germanium concentration gradient that increases from the first surface to the second surface. The method further includes epitaxially depositing a silicon germanium capping layer on the first silicon germanium layer. The silicon germanium capping layer has a second thickness and a substantially uniform germanium concentration that is equal to, substantially equal to, or greater than a maximum germanium concentration of the germanium concentration gradient. L'invention concerne un procédé et un appareil pour former des tampons à contrainte soulagée qui peuvent être utilisés dans des dispositifs semiconducteur incorporant des structures de super-réseau. Le procédé comprend le dépôt épitaxial d'une première couche de silicium-germanium sur le substrat. La première couche de silicium-germanium comprend une première surface qui entre en contact avec une surface avant du substrat et une deuxième surface opposée à la première surface. La première couche de silicium-germanium possède une première épaisseur et un gradient de concentration de germanium qui augmente de la première surface vers la deuxième surface. Le procédé comprend en outre le dépôt épitaxial d'une couche de recouvrement de silicium-germanium sur la première couche de silicium-germanium. La couche de recouvrement de silicium-germanium possède une deuxième épaisseur et une concentration de germanium sensiblement uniforme qui est égale, sensiblement égale ou supérieure à une concentration maximale en germanium du gradient de concentration de germanium.