METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device. The method for manufacturing a semiconductor device, according to one embodiment, may comprise a gap-fill step of burying a gap-fill oxide in trenches formed on a substrate, so as to form a gap-fill oxide film. In one embodiment, the gap-fill step can comprise a high pressure oxidation (HPO) step. According to embodiments, a semiconductor device with electrical properties superior to those of a conventional semiconductor device can be manufactured. La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur. Le procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur, selon un mode de réalisation, peut comprendre une étape de remplissage d'espace consistant à enfouir un oxyde de remplissage d'espace dans des tranchées formées sur un substrat, de façon à former un film d'oxyde de remplissage d'espace. Dans un mode de réalisation, l'étape de remplissage d'espace peut comprendre une étape d'oxydation à haute pression (HPO). Selon des modes de réalisation, un dispositif à semi-conducteur ayant des propriétés électriques supérieures à celles d'un dispositif à semi-conducteur classique peut être fabriqué. 본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 일 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 방법은, 기판 상에 형성된 트렌치 내부에 갭필(gap-fill) 산화물을 매립하여 갭필 산화막을 형성하는 갭필 공정을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 갭필 공정은 HPO(High Pressure Oxidation) 공정을 포함할 수 있다. 실시예들에 따르면, 종래에 비해 개선된 전기적 특성을 갖는 반도체 소자의 제조가 가능해진다.