DEEP LEARNING MODELS FOR DETERMINING MASK DESIGNS ASSOCIATED WITH SEMICONDUCTOR MANUFACTURING

A method of determining a mask design is described. The method comprises generating a continuous multimodal representation of a probability distribution of a target design in at least a portion of a latent space. The latent space comprises a distribution of feature variants that can be used to gener...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: PISARENCO, Maxim, LU, Yen-Wen, MIDDLEBROOKS, Scott, VAN KRAAIJ, Markus, ONOSE, Alexandru, BOONE, Robert
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:A method of determining a mask design is described. The method comprises generating a continuous multimodal representation of a probability distribution of a target design in at least a portion of a latent space. The latent space comprises a distribution of feature variants that can be used to generate mask designs based on the target design. The method comprises selecting a variant from the continuous multimodal representation in the latent space. The variant comprises a latent space representation of one or more features to be used to determine the mask design. The method comprises determining the mask design based on the target design and the variant. L'invention concerne un procédé de détermination de conception de masque. Le procédé consiste à générer une représentation multimodale continue d'une distribution de probabilité d'une conception cible dans au moins une partie d'un espace latent. L'espace latent comprend une distribution de variantes de caractéristiques qui peuvent être utilisées pour générer des conceptions de masque sur la base de la conception cible. Le procédé consiste à sélectionner une variante à partir de la représentation multimodale continue dans l'espace latent. La variante comprend une représentation d'espace latent d'une ou de plusieurs caractéristiques devant être utilisées pour déterminer la conception de masque. Le procédé consiste à déterminer la conception de masque sur la base de la conception cible et de la variante.