PLASMA PROCESSING SYSTEM, ASSISTANCE DEVICE, ASSISTANCE METHOD, AND ASSISTANCE PROGRAM
The present invention assists the improvement of processing performance of a plasma processing device. This plasma processing system comprises a plasma processing device, an assistance device, and a control device. The assistance device comprises: a first determination unit which is configured to us...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre ; jpn |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | The present invention assists the improvement of processing performance of a plasma processing device. This plasma processing system comprises a plasma processing device, an assistance device, and a control device. The assistance device comprises: a first determination unit which is configured to use, on the basis of a first input regarding the structure of a pre-processing substrate, a second input regarding a required shape of a post-processing substrate, a third input regarding the specifications of the plasma processing device, and a fourth input regarding the state of the plasma processing device, a first machine learning model to determine a plurality of control parameters for processing the pre-processing substrate so that a predicted shape of the post-processing substrate matches the required shape of the post-processing substrate; and a second determination unit which is configured to use, based on the plurality of control parameters that have been determined, and the third input and the fourth input, a second machine learning model to determine an operating condition of the plasma processing device.
La présente invention facilite l'amélioration des performances de traitement d'un dispositif de traitement au plasma. Ce système de traitement au plasma comprend un dispositif de traitement au plasma, un dispositif d'assistance et un dispositif de commande. Le dispositif d'assistance comprend : une première unité de détermination qui est configurée pour utiliser, sur la base d'une première entrée concernant la structure d'un substrat de prétraitement, une deuxième entrée concernant une forme requise d'un substrat de post-traitement, une troisième entrée concernant les spécifications du dispositif de traitement au plasma, et une quatrième entrée concernant l'état du dispositif de traitement au plasma, un premier modèle d'apprentissage automatique pour déterminer une pluralité de paramètres de commande pour traiter le substrat de prétraitement de telle sorte qu'une forme prédite du substrat de post-traitement correspond à la forme requise du substrat de post-traitement ; et une seconde unité de détermination qui est configurée pour utiliser, sur la base de la pluralité de paramètres de commande qui ont été déterminés, et de la troisième entrée et de la quatrième entrée, un second modèle d'apprentissage automatique pour déterminer une condition de fonctionnement du dispositif de traitement au plasma.
プラズマ処理装置におけるプロセス性能の向上を支援する。プラズマ処理システムは、プラズマ処理装置と、支援装置と |
---|