LTH AND SVLC HYBRID CORE ARCHITECTURE FOR LOWER COST COMPONENT EMBEDDING IN PACKAGE SUBSTRATE

An apparatus and method for efficiently transferring information as signals through a silicon package substrate. A semiconductor fabrication process (or process) begins with a relatively thin package substrate core layer and uses lasers to create openings in the package substrate at locations of the...

Ausführliche Beschreibung

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Hauptverfasser: SWAMINATHAN, Rajasekaran, KULKARNI, Deepak Vasant, BOYAPATI, Sriranga Sai
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:An apparatus and method for efficiently transferring information as signals through a silicon package substrate. A semiconductor fabrication process (or process) begins with a relatively thin package substrate core layer and uses lasers to create openings in the package substrate at locations of the signal routes. The use of each of the relatively thin core layer and the lasers allows for reduction in the pitch of the signal routes. The process creates signal routes in the openings using stacked vias from one side of the package substrate to an opposite side of the package substrate. Additionally, the process forms the package substrate with multiple embedded passive components with different thicknesses in different layers of the package substrate. The embedded passive components are used to improve signal integrity of the signal routes. Un appareil et un procédé permettent de transférer efficacement des informations sous forme de signaux à travers un substrat de boîtier en silicium. Un processus de fabrication de semi-conducteur (ou processus) commence par une couche centrale de substrat de boîtier relativement mince et utilise des lasers pour créer des ouvertures dans le substrat de boîtier à des emplacements des trajets de signal. L'utilisation de la couche centrale relativement mince et des lasers permet de réduire le pas des trajets de signal. Le processus crée des trajets de signal dans les ouvertures à l'aide de trous d'interconnexion empilés d'un côté du substrat de boîtier à un côté opposé du substrat de boîtier. De plus, le procédé forme le substrat de boîtier avec de multiples composants passifs incorporés présentant différentes épaisseurs dans différentes couches du substrat de boîtier. Les composants passifs incorporés sont utilisés pour améliorer l'intégrité de signal des trajets de signal.