METHOD FOR PRODUCING SILICON FILM, AND SILICON FILM

The present invention addresses the problem of providing a method for producing a silicon film, in which a cyclic silane compound is reduced in heat history and excellent film thickness evenness or step coverage is attained. The present invention relates to a method for producing a silicon film, characterized by heating a substrate inserted into the reaction chamber of a cold wall type thermal CVD device and simultaneously feeding a cyclic silane compound to the reaction chamber to form a silicon film on the substrate. La présente invention concerne un procédé de production d'un film de silicium dans lequel un composé de silane cyclique est réduit en termes d'historique de chaleur et qui permet d'obtenir une excellente régularité d'épaisseur de film ou une excellente couverture de pas. La présente invention concerne un procédé de production d'un film de silicium, caractérisé par le chauffage d'un substrat inséré dans la chambre de réaction d'un dispositif CVD thermique de type à paroi froide et par l'introduction simultanée d'un composé de silane cyclique dans la chambre de réaction pour former un film de silicium sur le substrat. 本発明は、環状シラン化合物の熱履歴が低減され、膜厚均一性又はステップカバレージ性に優れたシリコン膜の製造方法等の提供を課題とする。 本発明は、コールドウォール型熱ＣＶＤ装置の反応室に挿入された基板を加熱すると共に前記反応室に環状シラン化合物を供給して、前記基板上にシリコン膜を形成することを特徴とするシリコン膜の製造方法等に関する。