SEMICONDUCTOR DEVICE AND LAYERED STRUCTURE

A semiconductor device according to an embodiment of the present disclosure comprises: a semiconductor chip provided with a first pad, a first wiring, and a first insulating film; a second insulating film disposed on the semiconductor chip and having a flat surface; and a second pad disposed on the second insulating film and made of a metal material. The second pad is electrically connected to the first pad or the first wiring, and extends to the surface of the second insulating film. Un dispositif à semi-conducteur selon un mode de réalisation de la présente divulgation comprend : une puce semi-conductrice pourvue d'un premier plot, d'un premier câblage et d'un premier film isolant ; un second film isolant disposé sur la puce semi-conductrice et ayant une surface plate ; et un second plot disposé sur le second film isolant et constitué d'un matériau métallique. Le second plot est électriquement connecté au premier plot ou au premier câblage, et s'étend jusqu'à la surface du second film isolant. 本開示の一実施形態の半導体素子は、第１パッドと第１配線と第１絶縁膜が設けられた半導体チップと、前記半導体チップの上に設けられ、平坦な表面を有する第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜に設けられ、金属材料からなる第２パッドとを備える。前記第２パッドは、前記第１パッド又は前記第１配線と電気的に接続され、前記第２絶縁膜の前記表面まで設けられる。