MEMBER FOR SEMICONDUCTOR-MANUFACTURING DEVICE

In the present invention, a wafer placement table 10 comprises a gas outflow passage 56, a gas common passage 54, and a gas inflow passage 52. The gas outflow passage 56 is open to a wafer placement surface 21, and a plurality of gas outflow passages are provided to the wafer placement table 10. The gas common passage 54 is provided in an interior of the wafer placement table 10 and is in communication with the plurality of gas outflow passages 56. The gas inflow passage 52 is in communication with the gas common passage 54 from a surface of the wafer placement table 10, said surface being on the opposite side from the wafer placement surface 21. The number of gas inflow passages 52 is lower than the number of gas outflow passages 56 that are in communication with the gas common passage 54. Among the plurality of gas outflow passages 56, passages that are closer to the gas inflow passage 52 have a greater gas passing resistance compared to passages that are farther from the gas inflow passage 52. Dans la présente invention, une table de placement de tranche 10 comprend un passage de sortie de gaz 56, un passage commun de gaz 54 et un passage d'entrée de gaz 52. Le passage de sortie de gaz 56 est ouvert sur une surface de placement de tranche 21, et une pluralité de passages de sortie de gaz sont disposés sur la table de placement de tranche 10. Le passage commun de gaz 54 est disposé à l'intérieur de la table de placement de tranche 10 et est en communication avec la pluralité de passages de sortie de gaz 56. Le passage d'entrée de gaz 52 est en communication avec le passage commun de gaz 54 depuis une surface de la table de placement de tranche 10, ladite surface étant sur le côté opposé à la surface de placement de tranche 21. Le nombre de passages d'entrée de gaz 52 est inférieur au nombre de passages de sortie de gaz 56 qui sont en communication avec le passage commun de gaz 54. Parmi la pluralité de passages de sortie de gaz 56, les passages qui sont plus proches du passage d'entrée de gaz 52 ont une plus grande résistance au passage de gaz que les passages qui sont plus éloignés du passage d'entrée de gaz 52. ウエハ載置台１０は、ガス流出通路５６とガス共通通路５４とガス流入通路５２とを備える。ガス流出通路５６は、ウエハ載置面２１に開口しており、ウエハ載置台１０に複数設けられている。ガス共通通路５４は、ウエハ載置台１０の内部に設けられ、複数のガス流出通路５６に連通している。ガス流入通路５２は、ウエハ載置台１０のうちウエハ載置面２１とは反対側の面からガス共通通路５４に連通している。ガス流入通路５２の数は、ガス共通通路５４に連通するガス流出通路５６の数よりも少ない。複数のガス流出通路５６のうちガス流入通路５２に近いものは、ガス流入通路５２から遠いものに比べてガス通過抵抗が大きい。