LOGIC GATE

There is provided a logic gate comprising a semiconductor device. The semiconductor device includes a charge reservoir layer disposed between a first charge accepting layer and a second charge accepting layer. The first charge accepting layer defines a first current flow path that is connected to a common output contact at one end and a drive contact at the other end. The second charge accepting layer defines a current flow path that is connected to the common output contact at one end and a ground contact at the other end. The charge reservoir layer comprises a potential well having a lowest energy state for mobile charge carriers that is at a lower energy than the lowest energy state for mobile charge carriers of both the first and second charge accepting layers. The logic gate further comprises a control gate and a ground electrode that are separated from the charge accepting layers by non-conducting layers. The control gate and the ground electrode are configured to apply an input voltage across the semiconductor device, such that mobile charge carriers confined within the charge reservoir layer are transferred to the first charge accepting layer at a first applied input voltage and transferred to the second charge accepting layer at a second applied input voltage. La présente invention concerne une grille logique comprenant un dispositif à semi-conducteurs. Le dispositif à semi-conducteurs comporte une couche de réservoir de charge disposée entre une première couche d'acceptation de charge et une seconde couche d'acceptation de charge. La première couche d'acceptation de charge définit un premier trajet de circulation de courant qui est connecté à un contact de sortie commun à une extrémité et un contact de commande à l'autre extrémité. La seconde couche d'acceptation de charge définit un trajet de circulation de courant qui est connecté au contact de sortie commun à une extrémité et un contact de masse à l'autre extrémité. La couche de réservoir de charge comprend un puits de potentiel ayant un état d'énergie le plus bas pour des porteurs de charge mobiles qui est à une énergie inférieure à l'état d'énergie le plus bas pour des porteurs de charge mobiles à la fois des première et seconde couches d'acceptation de charge. La grill logique comprend en outre une grille de commande et une électrode de masse qui sont séparées des couches d'acceptation de charge par des couches non conductrices. La grille de commande et l'électrode de masse sont configurées