METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR ASSEMBLY COMPRISING A SEMICONDUCTOR ELEMENT AND A SUBSTRATE, AND CORRESPONDING DEVICE

Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung (2) mit einem Halbleiterelement (4) und einem Substrat (12), umfassend folgende Schritte: stoffschlüssiges Verbinden (A) eines ersten Lastkontakts (6) des Halbleiterelements (4) mit einer ersten Metallisierung (10) des Substrats (12), - stoffschlüs...

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: SCHMENGER, Jens
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung (2) mit einem Halbleiterelement (4) und einem Substrat (12), umfassend folgende Schritte: stoffschlüssiges Verbinden (A) eines ersten Lastkontakts (6) des Halbleiterelements (4) mit einer ersten Metallisierung (10) des Substrats (12), - stoffschlüssiges Verbinden (A) eines Metallformkörpers (20) mit einem zweiten Lastkontakt (8) des Halbleiterelements (4), welcher auf einer dem Substrat (12) abgewandten Seite des Halbleiterelements (4) angeordnet ist, - Kontaktieren (B) eines profilierten Kontaktierungselements (22), welches als Blech ausgeführt ist, mit dem zweiten Lastkontakt (8) des Halbleiterelements (4) über den Metallformkörper (20), wobei mittels der Profilierung (26) eine Vielzahl von Kontaktstellen (28) ausgebildet werden, - Anpressen (C) des profilierten Kontaktierungselements (22) über einen Gehäusedeckel (30) an das Halbleiterelement (4), wobei das profilierte Kontaktierungselement (22) zur Verbindung des zweiten Lastkontakts (8) mit der ersten Metallisierung (10) des Substrats (12) kontaktiert wird. Die Erfindung betrifft auch die entsprechende Halbleiteranordnung. The invention relates to a method for producing a semiconductor assembly (2) comprising a semiconductor element (4) and a substrate (12), having the following steps: bonding (A) a first load contact (6) of the semiconductor element (4) to a first metallization (10) of the substrate (12), - bonding (A) a molded metal body (20) to a second load contact (8) of the semiconductor element (4), said second load contact being arranged on the semiconductor element (4) face facing away from the substrate (12), - contacting (B) a profiled contacting element (22), which is designed as a metal sheet, with the second load contact (8) of the semiconductor element (4) via the molded metal body (20), a plurality of contact points (28) being formed by means of the profiled section (26), and - pressing (C) the profiled contacting element (22) against the semiconductor element (4) via a housing cover (30), wherein the profiled contacting element (22) is contacted with the first metallization (10) of the substrate (12) in order to connect the second load contact (8). The invention also relates to the corresponding semiconductor assembly. L'invention concerne un procédé de fabrication d'un ensemble semi-conducteur (2) comprenant un élément semi-conducteur (4) et un substrat (12), comprenant les étapes suivantes : Lier (A) un premier contact de charge (6