NON-STEP NANOSHEET STRUCTURE FOR STACKED FIELD-EFFECT TRANSISTORS

Embodiments herein include semiconductor structures that may include a first field-effect transistor (FET) stacked above a second FET in a non-step nanosheet structure, and a bottom contact electrically connected to a first bottom source/drain (S/D) of the second FET through a portion of a first top S/D of the first FET. Des modes de réalisation de la présente invention comprennent des structures semiconductrices qui peuvent comprendre un premier transistor à effet de champ (FET) empilé au-dessus d'un second FET dans une structure de nanofeuille non étagée, et un contact inférieur électriquement connecté à une première source/drain inférieure (S/D) du second FET à travers une partie d'une première partie supérieure S/D du premier FET.