REDUCED STRAIN Si/SiGe HETEROEPITAXY STACKS FOR 3D DRAM

REDUCED STRAIN Si/SiGe HETEROEPITAXY STACKS FOR 3D DRAM

Three-dimensional dynamic random-access memory (3D DRAM) structures and methods of formation of same are provided herein. In some embodiments, a 3D DRAM stack can include alternating silicon (Si) layers and silicon germanium (SiGe) layers. Each of the Si layers may have a height greater than a heigh...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: MARGETIS, Joe, KITAJIMA, Tomohiko, FISHBURN, Fredrick David, TOLLE, John Byron, MOHAMMED, Abdul Wahab, LEE, Gill Yong, KIRSCHENHEITER, Thomas John, LIU, Patricia M, ZHU, Zuoming
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:Three-dimensional dynamic random-access memory (3D DRAM) structures and methods of formation of same are provided herein. In some embodiments, a 3D DRAM stack can include alternating silicon (Si) layers and silicon germanium (SiGe) layers. Each of the Si layers may have a height greater than a height of each of the SiGe layers. Methods and systems for formation of such structures are further provided. L'invention concerne des structures de mémoire vive dynamique tridimensionnelle (DRAM 3D) et leurs procédés de formation. Dans certains modes de réalisation, un empilement de DRAM 3D peut comprendre des couches de silicium (Si) et des couches de silicium-germanium (SiGe) alternées. Chacune des couches de Si peut avoir une hauteur supérieure à une hauteur de chacune des couches de SiGe. L'invention concerne en outre des procédés et des systèmes de formation de telles structures.