SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT COMPRISING A SEMICONDUCTOR ELEMENT, A SUBSTRATE AND BOND CONNECTING MEANS

Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung (2) mit einem Halbleiterelement (4), einem Substrat (6) und Bondverbindungsmitteln (20a, 20b, 20c, 34, 58). Um, im Vergleich zum Stand der Technik, eine verbesserte Verdrahtung zu erreichen, wird vorgeschlagen, dass das Halbleiterelement (4), insbesondere stoffschlüssig, mit dem Substrat (6) verbunden ist, wobei das Halbleiterelement (4) auf einer dem Substrat (6) abgewandten Seite zumindest eine Kontaktfläche (8) aufweist, wobei zumindest eine Kontaktfläche (8) des Halbleiterelements (4) über zumindest ein erstes Bondverbindungsmittel (20a, 20b, 20c) mit dem Substrat (6) verbunden ist, wobei das zumindest eine erste Bondverbindungsmittel (20a, 20b, 20c) auf der Kontaktfläche (8) jeweils zumindest einen ersten Steppkontakt (22a, 22b, 22c) ausbildet, welcher zwischen einem ersten Loop (24a, 24b, 24c) und einem zweiten Loop (26a, 26b, 26c) des jeweiligen ersten Bondverbindungsmittels (20a, 20b, 20c) angeordnet ist, wobei der erste Loop (24a, 24b, 24c) ein erstes Maximum (28a, 28b, 28c) und der zweite Loop (26a, 26b, 26c) ein zweites Maximum (30a, 30b, 30c) aufweist, wobei ein erster Quer-Loop (32) eines zweiten Bondverbindungsmittels (34) oberhalb des ersten Steppkontakts (22a, 22b, 22c) und, parallel zur Kontaktfläche (8) verlaufend betrachtet, zwischen dem ersten Maximum (28a, 28b, 28c) des ersten Loops (24a, 24b, 24c) und dem zweiten Maximum (30a, 30b, 30c) des zweiten Loops (26a, 26b, 26c) verlaufend angeordnet ist, wobei der erste Quer-Loop (32) des zweiten Bondverbindungsmittels (34), insbesondere vollständig, unterhalb des ersten Maximums (28a, 28b, 28c) des ersten Loops (24a, 24b, 24c) und/oder des zweiten Maximums (30a, 30b, 30c) des zweiten Loops (26a, 26b, 26c) verlaufend angeordnet ist. The invention relates to a semiconductor arrangement (2) comprising a semiconductor element (4), a substrate (6) and bond connecting means (20a, 20b, 20c, 34, 58). In order to achieve improved wiring, in comparison with the prior art, it is proposed that the semiconductor element (4) is connected, in particular integrally bonded, to the substrate (6), the semiconductor element (4) having at least one contact pad (8) on a side facing away from the substrate (6), at least one contact pad (8) of the semiconductor element (4) being connected to the substrate (6) via at least one first bond connecting means (20a, 20b, 20c), the at least one first bond connecting means (20a, 20b, 20c) forming on the contact pad (8) in each