METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLED ION IMPLANTATION

A method of operating a beamline ion implanter may include performing, in an ion implanter, a first implant procedure to implant a dopant of a first polarity into a given semiconductor substrate, and generating an estimated implant dose of the dopant of the first polarity based upon a set of filtere...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	EIDUKONIS, Alexander K, WHITE, Richard, TODOROV, Stanislav S, GOSSMANN, Hans-Joachim L, ZHAO, Wei, RODIER, Dennis, ZOU, Wei, CHARNVANICHBORIKARN, Supakit
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ELECTRICITY
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Schreiben Sie den ersten Kommentar!