METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLED ION IMPLANTATION

A method of operating a beamline ion implanter may include performing, in an ion implanter, a first implant procedure to implant a dopant of a first polarity into a given semiconductor substrate, and generating an estimated implant dose of the dopant of the first polarity based upon a set of filtered information, generated by the first implant procedure. The method may also include calculating an actual implant dose of the dopant of the first polarity using a predictive model based upon the estimated implant dose, and performing, in the ion implanter, an adjusted second implant procedure to implant a dopant of a second polarity into a select semiconductor substrate, based upon the actual implant dose. Un procédé de fonctionnement d'un implanteur ionique à ligne de faisceaux peut consister à réaliser, dans un implanteur ionique, une première procédure d'implant permettant d'implanter un dopant d'une première polarité dans un substrat semi-conducteur donné et à générer une dose d'implant estimée du dopant de la première polarité sur la base d'un ensemble d'informations filtrées, générées par la première procédure d'implant. Le procédé peut également consister à calculer une dose d'implant réelle du dopant de la première polarité à l'aide d'un modèle prédictif sur la base de la dose d'implant estimée, et à réaliser, dans l'implanteur ionique, une seconde procédure d'implant ajustée pour implanter un dopant d'une seconde polarité dans un substrat semi-conducteur sélectionné, sur la base de la dose d'implant réelle.