INTEGRATED ASSEMBLIES AND METHODS OF FORMING INTEGRATED ASSEMBLIES

Some embodiments include an integrated assembly having first and second pillars of semiconductor material laterally offset from one another. The pillars have source/drain regions and channel regions vertically offset from the source/drain regions. Gating structures pass across the channel regions, and extend along a first direction. An insulative structure is over regions of the first and second pillars, and extends along a second direction which is crosses the first direction. Bottom electrodes are coupled with the source/drain regions. Leaker- device-structures extend upwardly from the bottom electrodes. Ferroelectric- insulative- mate rial is laterally adjacent to the leaker-device-structures and over the regions of the bottom electrodes. Top-electrode- material is over the ferroelectric-insulative- material and is directly against the leaker-device-structures. Some embodiments include methods of forming integrated assemblies. Certains modes de réalisation de la présente invention comprennent un ensemble intégré ayant des premier et second piliers de matériau semi-conducteur décalés latéralement l'un par rapport à l'autre. Les piliers comportent des régions de source/drain et des régions de canal décalées verticalement par rapport aux régions de source/drain. Des structures de déclenchement passent à travers les régions de canal, et s'étendent le long d'une première direction. Une structure isolante est située au-dessus des régions des premier et second piliers, et s'étend le long d'une seconde direction qui croise la première direction. Des électrodes inférieures sont couplées aux régions de source/drain supérieures. Des structures de dispositif de contact s'étendent vers le haut à partir des électrodes inférieures. Le matériau d'isolation ferroélectrique-isolant est latéralement adjacent aux structures de dispositif de fuite et au-dessus des régions des électrodes inférieures. Le matériau d'électrode supérieure est au-dessus du matériau isolant ferroélectrique et est directement contre les structures de dispositif de contact. Certains modes de réalisation comprennent des procédés de formation d'ensembles intégrés.