PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT

Provided is a photoelectric conversion element capable of suppressing a decrease in strength. A photoelectric conversion element (10) is provided with a photoelectric conversion layer (26), an electrode layer (24) adjacent to the photoelectric conversion layer, a collector electrode (30) adjacent to the electrode layer, and a conductor (50) bonded to the collector electrode. The thickness of the collector electrode (30) at least at the region of bonding between the collector electrode (30) and the conductor (50) is 4 μm or more. L'invention concerne un élément de conversion photoélectrique permettant d'éviter une baisse de résistance. Un élément de conversion photoélectrique (10) est pourvu d'une couche de conversion photoélectrique (26), d'une couche d'électrode (24) adjacente à la couche de conversion photoélectrique, d'une électrode collectrice (30) adjacente à la couche d'électrode, et d'un conducteur (50) relié à l'électrode de collecteur. L'épaisseur de l'électrode collectrice (30) vaut, au moins au niveau de la région de liaison entre l'électrode collectrice (30) et le conducteur (50), 4 µm ou plus. 強度の低下を抑制可能な光電変換素子を提供する。光電変換素子（１０）は、光電変換層（２６）と、光電変換層に隣接する電極層（２４）と、電極層に隣接する集電電極（３０）と、集電電極に接合された導体（５０）と、を備える。少なくとも集電電極（３０）と導体（５０）との接合部における集電電極（３０）の厚みが４μｍ以上である。