LIGHT EXTRACTION STRUCTURES FOR LIGHT-EMITTING DIODE CHIPS AND RELATED METHODS

Solid-state lighting devices including light-emitting diodes (LEDs) and more particularly light-extraction features for LED chips and related methods are disclosed. Light-extraction features include structures formed in or on light-emitting surfaces of substrates. Light-extraction features may include repeating patterns of features with dimensions that, along with reduced substrate thicknesses, provide targeted emission profiles for flip-chip structures, such as Lambertian emission profiles. Dimensions include certain height to width ratios for various substrate thicknesses. Additional light-extraction features with smaller dimensions may be formed along portions or side surfaces of larger light-extraction features. L'invention concerne des dispositifs d'éclairage à semi-conducteurs comprenant des diodes électroluminescentes (DEL) et plus particulièrement des éléments d'extraction de lumière pour des puces à DEL ainsi que des procédés associés. Les éléments d'extraction de lumière comprennent des structures formées dans ou sur des surfaces électroluminescentes de substrats. Les éléments d'extraction de lumière peuvent comprendre des motifs répétitifs d'éléments dont les dimensions, associées à des épaisseurs de substrat réduites, permettent d'obtenir des profils d'émission ciblés pour les structures à puce retournée, tels que des profils d'émission lambertienne Les dimensions comprennent certains rapports hauteur/largeur pour diverses épaisseurs de substrat. D'autres éléments d'extraction de lumière de plus petites dimensions peuvent être formés le long de parties ou de surfaces latérales d'éléments d'extraction de lumière de plus grandes tailles.