A WAVEGUIDE ARRANGEMENT

The present disclosure relates to a waveguide arrangement (100, 400) comprising a first waveguide port (101, 401), a second waveguide port (102, 402) and a waveguide conductor (103, 403) that extends between the waveguide ports (101, 102; 401, 402). The waveguide conductor (103, 403) has an extension (E) and comprises at least one metallized electrically conducting inner wall (104, 105, 106, 107). The waveguide arrangement is formed in a multilayer structure (108, 408) comprising two outer layers (109, 110; 409, 410) and at least one intermediate layer (111, 411) that is positioned between the outer layers (109, 110; 409, 410) and comprises at least one internal structure (112a, 112b, 112c, 112d, 113, 114; 412a, 412b, 412c, 412d; 413, 414). At least two layers comprise the waveguide conductor (103, 403) and the layers mainly run along an H-plane of the waveguide conductor (103, 403). La présente divulgation concerne un agencement de guide d'ondes (100, 400) comprenant un premier port de guide d'ondes (101, 401), un second port de guide d'ondes (102, 402) et un conducteur de guide d'ondes (103, 403) qui s'étend entre les ports de guide d'ondes (101, 102 ; 401, 402). Le conducteur de guide d'ondes (103, 403) présente une extension (E) et comprend au moins une paroi interne électroconductrice métallisée (104, 105, 106, 107). L'agencement de guide d'ondes est formé dans une structure multicouche (108, 408) comprenant deux couches externes (109, 110 ; 409, 410) et au moins une couche intermédiaire (111, 411) qui est positionnée entre les couches externes (109, 110 ; 409, 410) et comprend au moins une structure interne (112a, 112b, 112c, 112d, 113, 114; 412a, 412b, 412c, 412d ; 413, 414). Au moins deux couches comprennent le conducteur de guide d'ondes (103, 403) et les couches longent principalement un plan H du conducteur de guide d'ondes (103, 403).