IMAGING ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE

According to the present invention, crosstalk is reduced in an imaging element that shares a charge storage portion. The imaging element includes a plurality of pixel blocks and a shielding portion. The pixel block includes: a semiconductor substrate on which a plurality of pixels each having a photoelectric conversion portion that performs photoelectric conversion of incident light and a charge storage portion that stores charges generated via photoelectric conversion, and a separation portion that separates the pixels are disposed; a common electrode disposed adjacent to the semiconductor substrate, configured to straddle the separation portion, and connected to the charge storage portion of each of the plurality of pixels; a wiring region disposed adjacent to the front surface side of the semiconductor substrate; and a signal generation portion that generates a pixel signal that is a signal corresponding to the voltage of the common electrode. The shielding portion is disposed between the shared electrodes of the plurality of pixel blocks, and a voltage different from that of the shared electrodes is applied to the shielding portion. Selon la présente invention, la diaphonie est réduite dans un élément d'imagerie qui partage une partie de stockage de charge. L'élément d'imagerie comprend une pluralité de blocs de pixels et une partie de blindage. Le bloc de pixels comprend un substrat semi-conducteur sur lequel sont disposés une pluralité de pixels ayant chacun une partie de conversion photoélectrique qui effectue la conversion photoélectrique de la lumière incidente et une partie de stockage de charge qui stocke les charges générées par la conversion photoélectrique, et une partie de séparation qui sépare les pixels ; une électrode commune disposée de manière adjacente au substrat semi-conducteur, configurée pour chevaucher la partie de séparation, et connectée à la partie de stockage de charge de chacun de la pluralité de pixels ; une région de câblage disposée de manière adjacente au côté de la surface avant du substrat semi-conducteur ; et une partie de génération de signal qui génère un signal de pixel correspondant à la tension de l'électrode commune. La partie de blindage est disposée entre les électrodes partagées de la pluralité de blocs de pixels, et une tension différente de celle des électrodes partagées est appliquée à la partie de blindage. 電荷保持部を共有する撮像素子においてクロストークを軽減する。撮像素子は、複数の画素ブロックと、遮蔽部とを有する。画素ブロックは、入射光の光電変換を行う光電変換部及び光電変換により生成される電荷を保持す