DOPANT DIFFUSION WITH SHORT HIGH TEMPERATURE ANNEAL PULSES

A method and apparatus for diffusing a dopant within a semiconductor device is described. The method includes performing a dynamic surface anneal in which a substrate is placed inside of a process volume with a mixture of an inert gas and a small amount of oxygen gas. The surface of the substrate is then exposed to one or more rapid laser pulses. The rapid laser bursts diffuse dopant from a doped layer into the substrate. The doped layer is formed during a previous process operation. The temperature and number of laser pulses control the amount of diffusion of the dopant into the substrate. Other dynamic surface anneal operations may be optionally performed before or after the oxygenated dynamic surface anneal operation. L'invention concerne un procédé et un appareil destinés à diffuser un dopant à l'intérieur d'un dispositif à semi-conducteur. Le procédé comprend la réalisation d'un recuit dynamique de surface lors duquel un substrat est placé à l'intérieur d'un volume de traitement avec un mélange d'un gaz inerte et d'une petite quantité de gaz oxygène. La surface du substrat est ensuite exposée à une ou plusieurs impulsions laser rapides. Les bouffées laser rapides diffusent du dopant d'une couche dopée jusque dans le substrat. La couche dopée est formée au cours d'une opération précédente de traitement. La température et le nombre d'impulsions laser régissent la quantité de diffusion du dopant dans le substrat. D'autres opérations de recuit dynamique de surface peuvent optionnellement être réalisées avant ou après l'opération de recuit dynamique de surface oxygénée.