A DOUBLE-CHANNEL SEMICONDUCTOR DEVICE

A double-channel semiconductor device is presented herein. The double-channel semiconductor device is a cascode solution integrating two semiconductor channels: a HEMT channel (104) and a thin film transistor (TFT) channel (216). The HEMT channel can be an AIGaN/GaN HEMT channel and the TFT channel...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	RAMDANI, Jamal, KUDYMOV, Alexey, FLOYD, Brian Harold
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	A double-channel semiconductor device is presented herein. The double-channel semiconductor device is a cascode solution integrating two semiconductor channels: a HEMT channel (104) and a thin film transistor (TFT) channel (216). The HEMT channel can be an AIGaN/GaN HEMT channel and the TFT channel can be a polycrystalline silicon (polysilicon) TFT channel. The polysilicon TFT may advantageously operate in enhancement mode to realize an enhancement-mode cascode device. Un dispositif à semi-conducteur à double canal est présenté ici. Le dispositif à semi-conducteur à double canal est une solution cascode intégrant deux canaux à semi-conducteur : un canal HEMT (104) et un canal de transistor à couches minces (TFT) (216). Le canal HEMT peut être un canal HEMT AIGaN/GaN et le canal TFT peut être un canal TFT en silicium polycristallin (polysilicium). Le TFT en polysilicium peut avantageusement fonctionner en mode d'amélioration pour réaliser un dispositif cascode en mode d'amélioration.