SOLID-STATE IMAGING ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE

The present disclosure pertains to a solid-state imaging element and an electronic device which make it possible to improve pixel characteristics. The present invention is configured in a manner such that: a semiconductor substrate is provided with a photoelectric conversion unit for each pixel; a filter through which light of the color which is received by the pixel is provided for each pixel in a color filter layer; and a microlens is provided for each pixel pair, which comprises two pixels of the same color, in the on-chip lens layer. In addition, the semiconductor substrate is provided with: a first element separation unit which is provided in at least one section between pixels of different colors and is formed so as to pass through the semiconductor substrate; and a second element separation unit which is provided at least between the photoelectric conversion units of two pixels which form a pixel pair, and is formed by digging into the semiconductor substrate from the light-receiving surface thereof to a prescribed depth. The present technology can be applied, for example, to a back-illuminated CMOS image sensor. La présente divulgation concerne un élément d'imagerie à semi-conducteurs et un dispositif électronique qui permettent d'améliorer les caractéristiques de pixel. La présente invention est configurée de telle sorte que : un substrat semi-conducteur est pourvu d'une unité de conversion photoélectrique pour chaque pixel ; un filtre à travers lequel la lumière de la couleur est reçue par le pixel est fourni pour chaque pixel dans une couche de filtre coloré ; et une microlentille est prévue pour chaque paire de pixels, qui comprend deux pixels de la même couleur, dans la couche de lentille sur puce. De plus, le substrat semi-conducteur comprend : une première unité de séparation d'élément qui est disposée dans au moins une section entre des pixels de différentes couleurs et est formée de façon à passer à travers le substrat semi-conducteur ; et une seconde unité de séparation d'élément qui est disposée au moins entre les unités de conversion photoélectrique de deux pixels qui forment une paire de pixels, et est formée par creusement dans le substrat semi-conducteur à partir de la surface de réception de lumière de celui-ci à une profondeur prescrite. La présente technologie peut être appliquée, par exemple, à un capteur d'image CMOS rétroéclairé. 本開示は、画素特性の向上を図ることができるようにする固体撮像素子および電子機器に関する。 半導体基板には、画素ごとに光電変換部が設けられ、カラーフィルタ層には、画素が受光する色の光を透過するフィルタ