SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND SELF-DIAGNOSTIC METHOD
A semiconductor integrated circuit 100 comprises a ΔΣA/D converter 110 and a built-in self test (BIST) circuit 200. The BIST circuit 200 comprises a waveform generator 210 and a processor 220. The waveform generator 210 generates a test signal having a prescribed frequency f0 with an N-value (N is 2...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | A semiconductor integrated circuit 100 comprises a ΔΣA/D converter 110 and a built-in self test (BIST) circuit 200. The BIST circuit 200 comprises a waveform generator 210 and a processor 220. The waveform generator 210 generates a test signal having a prescribed frequency f0 with an N-value (N is 2 or 3) , and supplies the test signal to the ΔΣA/D converter 110. A processing circuit 220 subjects the output of the ΔΣA/D converter 110 to high-speed Fourier transformation, and on the basis of the obtained spectrum, determines if the ΔΣA/D converter 110 is defective.
L'invention concerne un circuit intégré à semi-conducteur 100 comprenant un convertisseur ΔΣA / N 110 et un circuit d'auto-test intégré (BIST) 200. Le circuit BIST 200 comprend un générateur de forme d'onde 210 et un processeur 220. Le générateur de forme d'onde 210 génère un signal de test ayant une fréquence f0 prescrite avec une valeur N (N valant 2 ou 3) et fournit le signal de test au convertisseur ΔΣA / N 110. Un circuit de traitement 220 soumet la sortie du convertisseur ΔΣA / N 110 à une transformée de Fourier à grande vitesse et, sur la base du spectre obtenu, détermine si le convertisseur ΔΣA / N (110) est défectueux.
半導体集積回路100は、ΔΣA/Dコンバータ110とBIST回路200を備える。BIST回路200は、波形発生器210および処理部220を備える。波形発生器210は、N値(Nは2または3)の所定周波数f0を有するテスト信号を生成し、ΔΣA/Dコンバータ110に供給する。処理部220は、ΔΣA/Dコンバータ110の出力を高速フーリエ変換し、得られたスペクトルにもとづいてΔΣA/Dコンバータ110の良否を判定する。 |
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