METHODS FOR FORMING SINGLE CRYSTAL SILICON INGOTS WITH REDUCED CARBON CONTAMINATION AND SUSCEPTORS FOR USE IN SUCH METHODS
A graphite susceptor for supporting a quartz crucible during a crystal growth process includes a body having an interior surface and a coating deposited onto the interior surface. The interior surface of the body defines a cavity, and the cavity has a size and shape complementary to an outer size an...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | A graphite susceptor for supporting a quartz crucible during a crystal growth process includes a body having an interior surface and a coating deposited onto the interior surface. The interior surface of the body defines a cavity, and the cavity has a size and shape complementary to an outer size and shape of the crucible. The coating includes boron nitride and a sintering additive. The sintering additive is configured to promote densification of the boron nitride.
Un suscepteur en graphite pour supporter un creuset en quartz pendant un processus de croissance de cristal comprend un corps ayant une surface intérieure et un revêtement déposé sur la surface intérieure. La surface intérieure du corps définit une cavité, et la cavité a une taille et une forme complémentaires à une taille et à une forme externes du creuset. Le revêtement comprend du nitrure de bore et un additif de frittage. L'additif de frittage est conçu pour favoriser la densification du nitrure de bore. |
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