SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD

This substrate processing method comprises: a preparation step for preparing a substrate in which at least a first surface containing silicon oxide and a second surface containing silicon or a silicon compound other than silicone oxide are exposed; a surface modification step for forming an etching selectivity imparting film on at least part of the first surface and at least part of the second surface by means of a silylation process in which a silylation agent is contacted with the first surface and the second surface; and an etching step for selectively etching the second surface relative to the first surface using an etching agent after the surface modification step. Ce procédé de traitement de substrat comprend : une étape de préparation pour préparer un substrat dans lequel au moins une première surface contenant de l'oxyde de silicium et une seconde surface contenant du silicium ou un composé de silicium autre que l'oxyde de silicone sont exposées ; une étape de modification de surface pour former un film conférant une sélectivité de gravure sur au moins une partie de la première surface et au moins une partie de la seconde surface au moyen d'un processus de silylation dans lequel un agent de silylation est mis en contact avec la première surface et la seconde surface ; et une étape de gravure pour graver sélectivement la seconde surface par rapport à la première surface à l'aide d'un agent de gravure après l'étape de modification de surface. 本発明の基材の処理方法は、酸化ケイ素を含有する第１表面及び酸化ケイ素以外のケイ素化合物又はシリコンを含有する第２表面が少なくとも露出した基材を準備する、準備工程と、第１表面及び第２表面にシリル化剤を接触させるシリル化処理により、第１表面の少なくとも一部及び第２表面の少なくとも一部に、エッチング選択性付与膜を形成する、表面改質工程と、表面改質工程の後、エッチング剤を用いて、第１表面に対して第２表面を選択的にエッチングする、エッチング工程と、を含むものである。