FORMULATED ALKALINE CHEMISTRY FOR POLYSILICON EXHUME

The disclosed and claimed subject matter relates to etching compositions capable of selectively removing a silicon film while minimizing the etch rate of an oxide film as well as method employing the same for fabricating a semiconductor device. L'objet divulgué et revendiqué ici concerne des co...

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Hauptverfasser: WU, Aiping, LEE, Yi-Chia, GE, Jhih-Kuei
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:The disclosed and claimed subject matter relates to etching compositions capable of selectively removing a silicon film while minimizing the etch rate of an oxide film as well as method employing the same for fabricating a semiconductor device. L'objet divulgué et revendiqué ici concerne des compositions de gravure permettant d'éliminer sélectivement un film de silicium tout en réduisant au minimum la vitesse de gravure d'un film d'oxyde ainsi qu'un procédé faisant appel à celles-ci pour fabriquer un dispositif à semi-conducteur.