ENCLOSED CRYSTAL GROWTH

Various single crystals are disclosed including sapphire as well as methods of forming the same. A method of forming a crystalline structure is disclosed as well. The method can include providing a melt in a crucible having a die. The die can include a ventilation opening. The method can further inc...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: MCANDREWS, Brian J, MACLEAN, JR, MACK III, Guilford Leroy, WEEDEN, David J
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:Various single crystals are disclosed including sapphire as well as methods of forming the same. A method of forming a crystalline structure is disclosed as well. The method can include providing a melt in a crucible having a die. The die can include a ventilation opening. The method can further include growing the crystalline structure from the die using an enclosed seed. The single crystals can have desirable geometric properties, including a length greater than a diameter greater than a thickness. L'invention concerne divers monocristaux, notamment le saphir, ainsi que des procédés de formation de ceux-ci. Est également divulgué un procédé de formation d'une structure cristalline. Le procédé peut consister à fournir une masse fondue dans un creuset ayant une matrice. La matrice peut comprendre une ouverture de ventilation. Le procédé peut en outre consister à former la structure cristalline à partir de la matrice à l'aide d'un germe confiné. Les monocristaux peuvent avoir des propriétés géométriques souhaitables, notamment une longueur supérieure à un diamètre supérieur à une épaisseur.