CROSS-POINT ARRAY REFRESH SCHEME

Technology is disclosed herein for refreshing threshold switching selectors in programmable resistance memory cells in cross-point memory arrays. The Vt of the threshold switching selector may drift over time. The memory system resets the Vt of the threshold switching selectors with a selector refresh operation and uses a separate data refresh operation to refresh data in programmable resistance memory elements. The data refresh operation itself may also refresh the selector. However, the threshold switching selector refresh operation is faster than the data refresh operation. Moreover, the selector refresh operation consumes much less power and/or current then the data refresh operation. The selector refresh operation may thus be performed at a higher rate than the data refresh operation. Est divulguée une technologie permettant de rafraîchir des sélecteurs de commutation de seuil dans des cellules de mémoire à résistance programmable dans des matrices de mémoire à points de croisement. La Vt du sélecteur de commutation de seuil peut dériver au fil du temps. Le système de mémoire réinitialise la Vt des sélecteurs de commutation de seuil avec une opération de rafraîchissement de sélecteur et utilise une opération de rafraîchissement de données séparée pour rafraîchir des données dans des éléments de mémoire à résistance programmable. L'opération de rafraîchissement de données elle-même peut également rafraîchir le sélecteur. Cependant, l'opération de rafraîchissement de sélecteur de commutation de seuil est plus rapide que l'opération de rafraîchissement de données. De plus, l'opération de rafraîchissement de sélecteur consomme beaucoup moins d'énergie et/ou de courant que l'opération de rafraîchissement de données. L'opération de rafraîchissement de sélecteur peut ainsi être mise en œuvre à un débit plus élevé que l'opération de rafraîchissement de données.