SEMICONDUCTOR DEVICE AND SWITCHING POWER SUPPLY

A semiconductor device 10 comprises, for example, the following: a first driver 163 configured to drive an output element M1 that forms a switch output stage SWO; at least a portion of a bootstrap circuit BST configured to generate a boot voltage Vb that is higher than a switch voltage Vsw output from the switch output stage SWO, and to supply the boot voltage to the first driver 163; a boot voltage detection circuit 20 configured to detect that a differential value (=Vb-Vsw) between the boot voltage Vb and the switch voltage Vsw, when the output element M1 is in an off state, has become less than a lower limit detection value, and to charge the boot voltage Vb; and a controller 161 configured to switch the boot voltage detection circuit 20 between an operating state and a non-operating state. Un dispositif à semi-conducteur 10 comprend, par exemple, ce qui suit : un premier circuit d'attaque 163 configuré pour attaquer un élément de sortie M1 qui forme une étape de sortie de commutateur SWO ; au moins une partie d'un circuit d'amorçage BST configuré pour générer une tension de démarrage Vb qui est supérieure à une tension de commutation Vsw délivrée en sortie par l'étage de sortie de commutation SWO, et pour fournir la tension de démarrage au premier circuit d'attaque 163 ; un circuit de détection de tension de démarrage 20 configuré pour détecter qu'une valeur différentielle (= Vb-Vsw) entre la tension de démarrage Vb et la tension de commutation Vsw, lorsque l'élément de sortie M1 est dans un état éteint, est devenue inférieure à une valeur de détection de limite inférieure, et pour charger la tension de démarrage Vb ; et un dispositif de commande 161 configuré pour commuter le circuit de détection de tension de démarrage 20 entre un état de fonctionnement et un état de non-fonctionnement. 例えば、半導体装置１０は、スイッチ出力段ＳＷＯを形成する出力素子Ｍ１を駆動するように構成された第１ドライバ１６３と、スイッチ出力段ＳＷＯから出力されるスイッチ電圧Ｖｓｗよりも高いブート電圧Ｖｂを生成して第１ドライバ１６３に供給するように構成されたブートストラップ回路ＢＳＴの少なくとも一部と、出力素子Ｍ１がオフ状態であるときにブート電圧Ｖｂとスイッチ電圧Ｖｓｗとの差分値（＝Ｖｂ－Ｖｓｗ）が下限検出値よりも低くなったことを検出してブート電圧Ｖｂを充電するように構成されたブート電圧検出回路２０と、ブート電圧検出回路２０を動作状態とするか非動作状態とするかを切り替えるように構成されたコントローラ１６１と、を備える。