METHODS AND APPARATUS FOR PROCESSING A SUBSTRATE

Methods and apparatus for processing a substrate are provided herein. For example, a method for processing a substrate comprises forming a plasma reaction between titanium tetrachloride (TICl4), hydrogen (H2), and argon (Ar) in a region between a lid heater and a showerhead of a process chamber or the showerhead and a substrate while providing RF power at a pulse frequency of about 5 kHz to about 100 kHz and at a duty cycle of about 10% to about 20% and flowing reaction products into the process chamber to selectively form a titanium material layer upon a silicon surface of the substrate. La présente invention concerne des procédés et des appareils permettant de traiter un substrat. Par exemple, un procédé permettant de traiter un substrat consiste à former une réaction au plasma entre du tétrachlorure de titane (TiCl4), de l'hydrogène (H2) et de l'argon (Ar) dans une région entre un dispositif de chauffage à couvercle et une pomme d'arrosoir d'une chambre de traitement ou entre la pomme d'arrosoir et un substrat, apportant en même temps une puissance RF à une fréquence d'impulsion entre environ 5 kHz et environ 100 kHz et à un cycle de service entre environ 10 % et environ 20 %, et à faire couler des produits de réaction dans la chambre de traitement afin de former sélectivement une couche de matériau de titane sur une surface de silicium du substrat.