POWER CONVERTER PACKAGE WITH SHIELDING AGAINST COMMON MODE CONDUCTED EMISSIONS

The disclosure relates to a power converter package (100) for converting a first DC voltage and a second DC voltage into a common AC voltage. The power converter package comprises: a first power semiconductor (130) and a second power semiconductor (140); a first substrate(110); and a second substrate (120). The first substrate (110) comprises a first supply voltage area (113) being formed to supply the first DC voltage and a second supply voltage area (114)being formed to supply the second DC voltage. The first substrate (110) comprises a base metal area (115) being arranged on a first substrate lower main face (112). The base metal area (115) is configured to extract dissipated heat from the first power semiconductor (130) and the second power semiconductor (140). The second substrate (120) comprises an AC voltage output area (150) formed to provide the AC voltage. The second supply voltage area (114) is configured to isolate and shield the AC voltage output area (150) against the base metal area (115) by a placement of the second supply voltage area (114) between the AC voltage output area (150) and the base metal area (115). The main embodiments of this disclosure allow lateral current flow devices, reduced AC voltage area and second substrate without heat generating devices. L'invention concerne un boîtier de convertisseur de puissance (100) destiné à convertir une première tension CC et une seconde tension CC en une tension CA commune. Le boîtier de convertisseur de puissance comprend : un premier semi-conducteur de puissance (130) et un second semi-conducteur de puissance (140) ; un premier substrat (110) ; et un second substrat (120). Le premier substrat (110) comprend une première zone de tension d'alimentation (113) formée pour fournir la première tension CC et une seconde zone de tension d'alimentation (114) formée pour fournir la seconde tension CC. Le premier substrat (110) comprend une zone métallique de base (115) disposée sur une première face principale inférieure de substrat (112). La zone métallique de base (115) est conçue pour extraire la chaleur dissipée du premier semi-conducteur de puissance (130) et du second semi-conducteur de puissance (140). Le second substrat (120) comprend une zone de sortie de tension CA (150) formée pour fournir la tension CA. La seconde zone de tension d'alimentation (114) est conçue pour isoler et protéger la zone de sortie de tension CA (150) contre la zone métallique de base (115) par un placement de la s