LEAKAGE SCREENING BASED ON POWER PREDICTION

This document describes systems and methods for leakage screening based on power prediction. In particular, the described systems and methods estimate, during a silicon manufacturing process, use-case power (e.g., low power, ambient power, high power, gaming power) to apply leakage screening for a part (e.g., a chip package). In some aspects, measurable silicon parameters (e.g., leakage values, bin values, processor sensor values) may be used for use-case power prediction. Using the described methods, a maximum allowable predicted use-case power can be determined and used for leakage screening regardless of an individual rail leakage or voltage bin assignment. Ce document décrit des systèmes et des procédés de dépistage de fuite sur la base d'une prédiction de puissance. En particulier, les systèmes et les procédés décrits estiment, pendant un processus de fabrication de silicium, une puissance de cas d'utilisation (par exemple, une faible puissance, une puissance ambiante, une puissance élevée, une puissance de jeu) pour appliquer un dépistage de fuite pour une pièce (par exemple, un boîtier de puce). Selon certains aspects, des paramètres de silicium mesurables (par exemple, des valeurs de fuite, des valeurs de classe, des valeurs de capteur de processeur) peuvent être utilisés pour une prédiction de puissance de cas d'utilisation. À l'aide des procédés décrits, une puissance de cas d'utilisation prédite maximale admissible peut être déterminée et utilisée pour un dépistage de fuite indépendamment d'une fuite de rail ou d'une attribution de classe de tension individuelle.