SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT

Provided is a semiconductor laser element (1) comprising a semiconductor laminated structure (20) that is formed on one surface a substrate (10), a first coating film (31) that is formed on an end surface (20F) on the front side of the semiconductor laminated structure (20), and second coating film (32) that is formed on an end surface (20R) on the rear side of the semiconductor laminated structure (20), wherein: the film thickness of the second coating film (32) is greater than the film thickness of the first coating film (31); on a side surface of the semiconductor laser element (1), a first groove (51) that extends along a resonator length direction of the semiconductor laser element (1) is formed as a cutout in the side surface of the semiconductor laser element (1); an end edge (51F) on the front side of the first groove (51) is separate from a front end surface (1a) of the semiconductor laser element (1); and an end edge (51R) on the rear side of the first groove (51) is positioned at a rear end surface (1b) of the semiconductor laser element (1). L'invention concerne un élément laser à semi-conducteur (1) comprenant une structure stratifiée semi-conductrice (20) formée sur une surface d'un substrat (10), un premier film de revêtement (31) formé sur une surface d'extrémité (20F) sur le côté avant de la structure stratifiée semi-conductrice (20), et un second film de revêtement (32) formé sur une surface d'extrémité (20R) sur le côté arrière de la structure stratifiée semi-conductrice (20). L'épaisseur de film du second film de revêtement (32) est supérieure à l'épaisseur de film du premier film de revêtement (31) ; sur une surface latérale de l'élément laser à semi-conducteur (1), une première rainure (51) qui s'étend le long d'une direction de longueur de résonateur de l'élément laser à semi-conducteur (1) est formée sous la forme d'une découpe dans la surface latérale de l'élément laser à semi-conducteur (1) ; un bord d'extrémité (51F) sur le côté avant de la première rainure (51) est séparé d'une surface d'extrémité avant (1a) de l'élément laser à semi-conducteur (1) ; et un bord d'extrémité (51R) sur le côté arrière de la première rainure (51) est positionné au niveau d'une surface d'extrémité arrière (1b) de l'élément laser à semi-conducteur (1). 基板（１０）の一方の面に形成された半導体積層構造体（２０）と、半導体積層構造体（２０）のフロント側の端面（２０Ｆ）に形成された第１コート膜（３１）と、半導体積層構造体（２０）のリア側の端面（２０Ｒ）に形成された第２コート膜（３２）と、を備える半導体レーザ素子（１）であって、第２コート膜（３２）の膜厚は、第１コート膜（３１）の膜厚より厚く、半導体レーザ素子（１）の側面に、半導体レーザ素子（１）の共振器長