METHOD AND CARRIER SUBSTRATE FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR COMPONENT

Vorgestellt wird ein Verfahren (600) zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes (100) mit wenigstens einem freiliegenden Membranabschnitt, wobei das Verfahren (600) die folgenden Schritte aufweist: - Bereitstellen (610) eines Halbleitermaterials (102), das ein mit einer Passivierungsschicht (108) versehenen Trägersubstrat (104) aufweist, wobei auf der Passivierungsschicht (108) eine Membranlage (110) angeordnet ist, die ein Material aufweist oder aus einem Material besteht, das durch Wasser in seiner Struktur und/oder Zusammensetzung veränderbar, insbesondere hydrolysierbar ist, wobei die Membranlage (110) auf einer der Passivierungsschicht (108) gegenüberliegende Seite durch eine Schutzschicht (114) abgedeckt ist; - Entfernen (620) eines Teils des Trägersubstrats (104) unter Verwendung eines nasschemischen Verfahrens, um einen freiliegenden Bereich der Passivierungsschicht (108) in einem strukturierten Bereich (130) des Halbleitermaterials (102) zu erhalten; und - Freilegen (630) eines Abschnitts der Membranlage (110) in dem strukturierten Bereich (130) mittels eines ersten Trockenätzschritts zum Ätzen der Passivierungsschicht und eines zweiten Trockenätzschritts zum Ätzen der Schutzschicht, um den freiliegenden Membranabschnitt (140) zu erhalten. The invention relates to a method (600) for producing a semiconductor component (100) with at least one exposed membrane layer, wherein the method (600) comprises the following steps: Providing (610) a semiconductor material (102) having a carrier substrate (104) provided with a passivation layer (108), wherein a membrane layer (110) is arranged on the passivation layer (108), having a material or consisting of a material that can be changed in terms of its structure and/or composition by water, in particular hydrolysable, wherein the membrane layer (110) is covered by a protective layer (114) on a side opposite the passivation layer (108); removing (620) a part of the carrier substrate (104) using a wet-chemical process, in order to obtain an exposed region of the passivation layer (108) in a structured region (130) of the semiconductor material (102); and exposing (630) a section of the membrane layer (110) in the structured region (130) by means of a first dry etching step for etching the passivation layer and a second dry etching step for etching the protective layer, in order to obtain the exposed membrane section (140). L'invention concerne un procédé (600) de production d'un composant à semi-conducteur