VIRTUAL SHUTTER IN ION BEAM SYSTEM

The present disclosure provides a method of processing a substrate 30 within an ion beam system 10. The substrate has a top surface that has a plurality of features, an edge and a bottom surface. The substrate is placed on a wafer stage 20 and an energetic particle beam 40;42 having a radial flux distribution over at least a portion of a major dimension thereof is ignited. The energetic particle beam is stabilized while the bottom surface of the substrate is oriented toward the major dimension of the energetic particle beam. The wafer stage with the substrate is oriented so that the top surface of the substrate is exposed to the major dimension of the energetic particle beam. After stabilization of the energetic particle beam, the plurality of features on the top surface of the substrate are exposed to the energetic particle beam in a treatment zone. La présente invention concerne un procédé de traitement d'un substrat à l'intérieur d'un système à faisceau d'ions. Le substrat présente une surface supérieure qui possède une pluralité de caractéristiques, un bord et une surface inférieure. Le substrat est placé sur un porte-plaquettes et un faisceau de particules énergétiques ayant une distribution de flux radiale sur au moins une partie d'une dimension principale de celui-ci est allumé. Le faisceau de particules énergétiques est stabilisé tandis que la surface inférieure du substrat est orientée vers la dimension principale du faisceau de particules énergétiques. Le porte-plaquettes avec le substrat est orienté de telle sorte que la surface supérieure du substrat est exposée à la dimension principale du faisceau de particules énergétiques. Après stabilisation du faisceau de particules énergétiques, la pluralité de caractéristiques sur la surface supérieure du substrat sont exposées au faisceau de particules énergétiques dans une zone de traitement.