METHODS AND APPARATUS FOR PROCESSING A SUBSTRATE

Methods and apparatus for processing a substrate are provided herein. For example, a matching network configured for use with a plasma processing chamber comprises an input configured to receive one or more radio frequency (RF) signals, an output configured to deliver the one or more RF signals to a processing chamber, a first sensor operably connected to the input and a second sensor operably connected to the output and configured to measure impedance during operation, at least one variable capacitor connected to the first sensor and the second sensor and a controller, based on a measured impedance, configured to tune the at least one variable capacitor of the matching network to a first target position based on weighted output impedance values measured at pulse states of a voltage waveform and to tune the at least one variable capacitor to a second target position based on weighted input impedance values measured at the pulse states of the voltage waveform. L'invention concerne des procédés et un appareil de traitement d'un substrat. Par exemple, un réseau d'adaptation configuré pour une utilisation avec une chambre de traitement par plasma comprend une entrée configurée pour recevoir un ou plusieurs signaux radiofréquence (RF), une sortie configurée pour délivrer le ou les signaux RF à une chambre de traitement, un premier capteur connecté de manière fonctionnelle à l'entrée et un second capteur connecté de manière fonctionnelle à la sortie et configuré pour mesurer l'impédance en fonctionnement, au moins un condensateur variable connecté au premier capteur et au second capteur et un dispositif de commande, sur la base d'une impédance mesurée, configuré pour accorder l'au moins un condensateur variable du réseau d'adaptation à une première position cible sur la base de valeurs d'impédance de sortie pondérées mesurées à des états pulsés d'une forme d'onde de tension et pour accorder l'au moins un condensateur variable à une seconde position cible sur la base de valeurs d'impédance d'entrée pondérées mesurées aux états pulsés de la forme d'onde de tension.