CAPACITIVE CHARGE STORAGE AND TRANSPORT DEVICE FOR ROOM TEMPERATURE APPLICATIONS

Anomalously large charge storage, charge release and/or charge transport is provided in room temperature MIS (Metal- Insulator-Semiconductor ) capacitive structures. These parameters can be l Ox or more ( often orders of magnitude more ) than what would be expected from the classical capacitance of the structure. This anomalous behavior is attributed to topological states formed in the MIS structure under bias when there are both in-plane and out of plane components of the biasing electric field. One signature of this new physical ef fect is an inverse dependence of maximum current density on area. L'invention concerne un stockage de charge, une libération de charge et/ou un transport de charge d'une importance rare dans des structures capacitives MIS (métal-isolant-semi-conducteur) à température ambiante. Ces paramètres peuvent être l Ox ou plus (souvent de plus larges ordres de grandeur) élevés que la capacité classique de la structure. Ce comportement anormal est attribué à des états topologiques formés dans la structure MIS sous polarisation lorsqu'il y a à la fois des composants en plan et hors-plan du champ électrique de polarisation. Une manifestation de ce nouveau défaut physique est une dépendance inverse de la densité de courant maximale de la zone.