BIASING ISOLATION REGION IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

The present disclosure generally relates to biasing an isolation region in a semiconductor substrate. In an example, an integrated circuit includes a semiconductor substrate (112), a first rectifying device (212), and a second rectifying device (214). The semiconductor substrate (112) has a first region (128, 242), a second region (126, 244), and a third region (144, ISO) each being an opposite conductivity type from the semiconductor substrate (112). The first region (128, 242) and the second region (126, 244) are respective current terminals of a transistor. The first rectifying device (212) has a first positive terminal (222) and a first negative terminal (224). The first positive terminal (222) is coupled to the first region (128, 242), and the first negative terminal (224) is coupled to the third region (144, ISO) The second rectifying device (214) has a second positive terminal (226) and a second negative terminal (228). The second positive terminal (226) is coupled to a ground terminal, and the second negative terminal (228) is coupled to the third region (144, ISO). La présente divulgation concerne d'une manière générale la polarisation d'une région d'isolation dans un substrat semi-conducteur. Selon un exemple, un circuit intégré comprend un substrat semi-conducteur (112), un premier dispositif de redressement (212) et un second dispositif de redressement (214). Le substrat semi-conducteur (112) possède une première région (128, 242), une deuxième région (126, 244) et une troisième région (144, ISO) qui sont chacune d'un type de conductivité opposé par rapport au substrat semi-conducteur (112). La première région (128, 242) et la deuxième région (126, 244) sont des bornes de courant respectives d'un transistor. Le premier dispositif de redressement (212) possède une première borne positive (222) et une première borne négative (224). La première borne positive (222) est couplée à la première région (128, 242), et la première borne négative (224) est couplée à la troisième région (144, ISO). Le second dispositif de redressement (214) possède une seconde borne positive (226) et une seconde borne négative (228). La seconde borne positive (226) est couplée à une borne de masse, et la seconde borne négative (228) est couplée à la troisième région (144, ISO).