DISK-SHAPED COIL AND METHOD FOR MANUFACTURING DISK-SHAPED COIL
Provided is a disk-shaped coil that can increase connection reliability and make an insulating layer less prone to collapse in the manufacturing process. This disk-shaped coil comprises at least one disk-shaped coil part having insulating layers disposed spaced apart, and conductive layers disposed...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre ; jpn |
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Zusammenfassung: | Provided is a disk-shaped coil that can increase connection reliability and make an insulating layer less prone to collapse in the manufacturing process. This disk-shaped coil comprises at least one disk-shaped coil part having insulating layers disposed spaced apart, and conductive layers disposed in the gaps between the insulating layers, wherein the thickness of the insulating layer is at least 50 μm, the ratio of the width A1 of the insulating layer or the width A2 of the insulating layer to the width B of the insulating layer is at least 0.5 but less than 1.0, and the ratio of the width B of the insulating layer to the width C of the insulating layer is less than 1.0.
L'invention concerne une bobine en forme de disque qui peut augmenter la fiabilité de liaison et rendre une couche isolante moins sujette à s'affaisser dans le processus de fabrication. Cette bobine en forme de disque comprend au moins une partie bobine en forme de disque présentant des couches isolantes disposées à distance, et des couches conductrices disposées dans les espaces entre les couches isolantes, l'épaisseur de la couche isolante étant d'au moins 50 µm, le rapport de la largeur A1 de la couche isolante ou de la largeur A2 de la couche isolante à la largeur B de la couche isolante étant d'au moins 0,5 mais inférieur à 1,0, et le rapport de la largeur B de la couche isolante à la largeur C de la couche isolante étant inférieur à 1,0.
接続信頼性を高めることができ、かつ、製造工程において絶縁層を倒れにくくすることができる円盤状コイルを提供する。 本発明に係る円盤状コイルは、間隔を隔てて配置された絶縁層と、前記絶縁層の間隙に配置された導電層とを有する円盤状コイル部を少なくとも1つ備え、前記絶縁層の厚みが、50μm以上であり、絶縁層の幅A1又は絶縁層の幅A2の、絶縁層の幅Bに対する比が、0.5以上1.0未満であり、かつ、前記絶縁層の幅Bの、絶縁層の幅Cに対する比が、1.0未満である。 |
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