METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND RESIST UNDERLAYER FILM FORMING COMPOSITION
The present invention provides: a method for producing a semiconductor substrate, the method using a resist underlayer film forming composition that is capable of forming a resist underlayer film having excellent pattern rectangularity; and a resist underlayer film forming composition. The present i...
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| Format: | Patent |
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| creator | YONEDA, Eiji YOSHINAKA, Sho KOMATSU, Hiroyuki TATSUBO, Daiki DEI, Satoshi DOBASHI, Masato AKITA, Shunpei EHARA, Kengo |
| description | The present invention provides: a method for producing a semiconductor substrate, the method using a resist underlayer film forming composition that is capable of forming a resist underlayer film having excellent pattern rectangularity; and a resist underlayer film forming composition. The present invention provides a method for producing a semiconductor substrate, the method comprising: a step in which a resist underlayer film forming composition is directly or indirectly applied to a substrate; a step in which a resist film forming composition is applied to a resist underlayer film that is formed by the above-described resist underlayer film forming composition application step; a step in which a resist film that is formed by the above-described resist film forming composition application step is subjected to light exposure by means of radiation; and a step in which at least the light-exposed resist film is developed. With respect to this method for producing a semiconductor substrate, the resist underlayer film forming composition contains a solvent and a polymer that has a repeating unit (1) which comprises an organic sulfonic acid anion moiety and an onium cation moiety.
La présente invention concerne : un procédé de production de substrat semi-conducteur, le procédé utilisant une composition de formation de film de sous-couche de réserve qui est capable de former un film de sous-couche de réserve ayant une excellente rectangularité de motif ; et une composition de formation de film de sous-couche de réserve. La présente invention concerne un procédé de production de substrat semi-conducteur, le procédé comprenant : une étape dans laquelle une composition de formation de film de sous-couche de réserve est appliquée directement ou indirectement sur un substrat ; une étape dans laquelle une composition de formation de film de réserve est appliquée à un film de sous-couche de réserve qui est formé par l'étape d'application de composition de formation de film de sous-couche de réserve ci-décrite ; une étape dans laquelle un film de réserve qui est formé par l'étape d'application de composition de formation de film de réserve ci-décrite est soumis à une exposition à la lumière au moyen d'un rayonnement ; et une étape dans laquelle au moins le film de réserve exposé à la lumière est développé. Concernant ce procédé de production de substrat semi-conducteur, la composition de formation de film de sous-couche de réserve contient un solvant et un polymère qui |
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La présente invention concerne : un procédé de production de substrat semi-conducteur, le procédé utilisant une composition de formation de film de sous-couche de réserve qui est capable de former un film de sous-couche de réserve ayant une excellente rectangularité de motif ; et une composition de formation de film de sous-couche de réserve. La présente invention concerne un procédé de production de substrat semi-conducteur, le procédé comprenant : une étape dans laquelle une composition de formation de film de sous-couche de réserve est appliquée directement ou indirectement sur un substrat ; une étape dans laquelle une composition de formation de film de réserve est appliquée à un film de sous-couche de réserve qui est formé par l'étape d'application de composition de formation de film de sous-couche de réserve ci-décrite ; une étape dans laquelle un film de réserve qui est formé par l'étape d'application de composition de formation de film de réserve ci-décrite est soumis à une exposition à la lumière au moyen d'un rayonnement ; et une étape dans laquelle au moins le film de réserve exposé à la lumière est développé. Concernant ce procédé de production de substrat semi-conducteur, la composition de formation de film de sous-couche de réserve contient un solvant et un polymère qui a un motif récurrent (1) qui comprend une fraction anionique d'acide sulfonique organique et une fraction cationique onium.
パターン矩形性に優れるレジスト下層膜を形成可能なレジスト下層膜形成用組成物を用いる半導体基板の製造方法及びレジスト下層膜形成用組成物を提供する。基板に直接又は間接にレジスト下層膜形成用組成物を塗工する工程と、上記レジスト下層膜形成用組成物塗工工程により形成されたレジスト下層膜にレジスト膜形成用組成物を塗工する工程と、上記レジスト膜形成用組成物塗工工程により形成されたレジスト膜を放射線により露光する工程と、少なくとも上記露光されたレジスト膜を現像する工程とを備え、上記レジスト下層膜形成用組成物が、有機スルホン酸アニオン部分とオニウムカチオン部分とを有する繰り返し単位（１）を含む重合体と、溶媒とを含有する、半導体基板の製造方法。</description><language>eng ; fre ; jpn</language><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR ; CINEMATOGRAPHY ; ELECTROGRAPHY ; HOLOGRAPHY ; MATERIALS THEREFOR ; ORIGINALS THEREFOR ; PHOTOGRAPHY ; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES ; PHYSICS</subject><creationdate>2023</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20231019&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2023199881A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25563,76418</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20231019&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2023199881A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>YONEDA, Eiji</creatorcontrib><creatorcontrib>YOSHINAKA, Sho</creatorcontrib><creatorcontrib>KOMATSU, Hiroyuki</creatorcontrib><creatorcontrib>TATSUBO, Daiki</creatorcontrib><creatorcontrib>DEI, Satoshi</creatorcontrib><creatorcontrib>DOBASHI, Masato</creatorcontrib><creatorcontrib>AKITA, Shunpei</creatorcontrib><creatorcontrib>EHARA, Kengo</creatorcontrib><title>METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND RESIST UNDERLAYER FILM FORMING COMPOSITION</title><description>The present invention provides: a method for producing a semiconductor substrate, the method using a resist underlayer film forming composition that is capable of forming a resist underlayer film having excellent pattern rectangularity; and a resist underlayer film forming composition. The present invention provides a method for producing a semiconductor substrate, the method comprising: a step in which a resist underlayer film forming composition is directly or indirectly applied to a substrate; a step in which a resist film forming composition is applied to a resist underlayer film that is formed by the above-described resist underlayer film forming composition application step; a step in which a resist film that is formed by the above-described resist film forming composition application step is subjected to light exposure by means of radiation; and a step in which at least the light-exposed resist film is developed. With respect to this method for producing a semiconductor substrate, the resist underlayer film forming composition contains a solvent and a polymer that has a repeating unit (1) which comprises an organic sulfonic acid anion moiety and an onium cation moiety.
La présente invention concerne : un procédé de production de substrat semi-conducteur, le procédé utilisant une composition de formation de film de sous-couche de réserve qui est capable de former un film de sous-couche de réserve ayant une excellente rectangularité de motif ; et une composition de formation de film de sous-couche de réserve. La présente invention concerne un procédé de production de substrat semi-conducteur, le procédé comprenant : une étape dans laquelle une composition de formation de film de sous-couche de réserve est appliquée directement ou indirectement sur un substrat ; une étape dans laquelle une composition de formation de film de réserve est appliquée à un film de sous-couche de réserve qui est formé par l'étape d'application de composition de formation de film de sous-couche de réserve ci-décrite ; une étape dans laquelle un film de réserve qui est formé par l'étape d'application de composition de formation de film de réserve ci-décrite est soumis à une exposition à la lumière au moyen d'un rayonnement ; et une étape dans laquelle au moins le film de réserve exposé à la lumière est développé. Concernant ce procédé de production de substrat semi-conducteur, la composition de formation de film de sous-couche de réserve contient un solvant et un polymère qui a un motif récurrent (1) qui comprend une fraction anionique d'acide sulfonique organique et une fraction cationique onium.
パターン矩形性に優れるレジスト下層膜を形成可能なレジスト下層膜形成用組成物を用いる半導体基板の製造方法及びレジスト下層膜形成用組成物を提供する。基板に直接又は間接にレジスト下層膜形成用組成物を塗工する工程と、上記レジスト下層膜形成用組成物塗工工程により形成されたレジスト下層膜にレジスト膜形成用組成物を塗工する工程と、上記レジスト膜形成用組成物塗工工程により形成されたレジスト膜を放射線により露光する工程と、少なくとも上記露光されたレジスト膜を現像する工程とを備え、上記レジスト下層膜形成用組成物が、有機スルホン酸アニオン部分とオニウムカチオン部分とを有する繰り返し単位（１）を含む重合体と、溶媒とを含有する、半導体基板の製造方法。</description><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</subject><subject>CINEMATOGRAPHY</subject><subject>ELECTROGRAPHY</subject><subject>HOLOGRAPHY</subject><subject>MATERIALS THEREFOR</subject><subject>ORIGINALS THEREFOR</subject><subject>PHOTOGRAPHY</subject><subject>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</subject><subject>PHYSICS</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2023</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZIj2dQ3x8HdRcPMPUggI8ncJdfb0c1cIdvX1dPb3A_JCgOLBoU7BIUGOIa4Kjn4uCkGuwZ7BIQqhfi6uQT6Oka5BCm6ePr4gA3xBWp39fQP8gz1DPP39eBhY0xJzilN5oTQ3g7Kba4izh25qQX58anFBYnJqXmpJfLi_kYGRsaGlpYWFoaOhMXGqAJ41M60</recordid><startdate>20231019</startdate><enddate>20231019</enddate><creator>YONEDA, Eiji</creator><creator>YOSHINAKA, Sho</creator><creator>KOMATSU, Hiroyuki</creator><creator>TATSUBO, Daiki</creator><creator>DEI, Satoshi</creator><creator>DOBASHI, Masato</creator><creator>AKITA, Shunpei</creator><creator>EHARA, Kengo</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20231019</creationdate><title>METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND RESIST UNDERLAYER FILM FORMING COMPOSITION</title><author>YONEDA, Eiji ; YOSHINAKA, Sho ; KOMATSU, Hiroyuki ; TATSUBO, Daiki ; DEI, Satoshi ; DOBASHI, Masato ; AKITA, Shunpei ; EHARA, Kengo</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2023199881A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre ; jpn</language><creationdate>2023</creationdate><topic>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</topic><topic>CINEMATOGRAPHY</topic><topic>ELECTROGRAPHY</topic><topic>HOLOGRAPHY</topic><topic>MATERIALS THEREFOR</topic><topic>ORIGINALS THEREFOR</topic><topic>PHOTOGRAPHY</topic><topic>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</topic><topic>PHYSICS</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>YONEDA, Eiji</creatorcontrib><creatorcontrib>YOSHINAKA, Sho</creatorcontrib><creatorcontrib>KOMATSU, Hiroyuki</creatorcontrib><creatorcontrib>TATSUBO, Daiki</creatorcontrib><creatorcontrib>DEI, Satoshi</creatorcontrib><creatorcontrib>DOBASHI, Masato</creatorcontrib><creatorcontrib>AKITA, Shunpei</creatorcontrib><creatorcontrib>EHARA, Kengo</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>YONEDA, Eiji</au><au>YOSHINAKA, Sho</au><au>KOMATSU, Hiroyuki</au><au>TATSUBO, Daiki</au><au>DEI, Satoshi</au><au>DOBASHI, Masato</au><au>AKITA, Shunpei</au><au>EHARA, Kengo</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND RESIST UNDERLAYER FILM FORMING COMPOSITION</title><date>2023-10-19</date><risdate>2023</risdate><abstract>The present invention provides: a method for producing a semiconductor substrate, the method using a resist underlayer film forming composition that is capable of forming a resist underlayer film having excellent pattern rectangularity; and a resist underlayer film forming composition. The present invention provides a method for producing a semiconductor substrate, the method comprising: a step in which a resist underlayer film forming composition is directly or indirectly applied to a substrate; a step in which a resist film forming composition is applied to a resist underlayer film that is formed by the above-described resist underlayer film forming composition application step; a step in which a resist film that is formed by the above-described resist film forming composition application step is subjected to light exposure by means of radiation; and a step in which at least the light-exposed resist film is developed. With respect to this method for producing a semiconductor substrate, the resist underlayer film forming composition contains a solvent and a polymer that has a repeating unit (1) which comprises an organic sulfonic acid anion moiety and an onium cation moiety.
La présente invention concerne : un procédé de production de substrat semi-conducteur, le procédé utilisant une composition de formation de film de sous-couche de réserve qui est capable de former un film de sous-couche de réserve ayant une excellente rectangularité de motif ; et une composition de formation de film de sous-couche de réserve. La présente invention concerne un procédé de production de substrat semi-conducteur, le procédé comprenant : une étape dans laquelle une composition de formation de film de sous-couche de réserve est appliquée directement ou indirectement sur un substrat ; une étape dans laquelle une composition de formation de film de réserve est appliquée à un film de sous-couche de réserve qui est formé par l'étape d'application de composition de formation de film de sous-couche de réserve ci-décrite ; une étape dans laquelle un film de réserve qui est formé par l'étape d'application de composition de formation de film de réserve ci-décrite est soumis à une exposition à la lumière au moyen d'un rayonnement ; et une étape dans laquelle au moins le film de réserve exposé à la lumière est développé. Concernant ce procédé de production de substrat semi-conducteur, la composition de formation de film de sous-couche de réserve contient un solvant et un polymère qui a un motif récurrent (1) qui comprend une fraction anionique d'acide sulfonique organique et une fraction cationique onium.
パターン矩形性に優れるレジスト下層膜を形成可能なレジスト下層膜形成用組成物を用いる半導体基板の製造方法及びレジスト下層膜形成用組成物を提供する。基板に直接又は間接にレジスト下層膜形成用組成物を塗工する工程と、上記レジスト下層膜形成用組成物塗工工程により形成されたレジスト下層膜にレジスト膜形成用組成物を塗工する工程と、上記レジスト膜形成用組成物塗工工程により形成されたレジスト膜を放射線により露光する工程と、少なくとも上記露光されたレジスト膜を現像する工程とを備え、上記レジスト下層膜形成用組成物が、有機スルホン酸アニオン部分とオニウムカチオン部分とを有する繰り返し単位（１）を含む重合体と、溶媒とを含有する、半導体基板の製造方法。</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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