METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND RESIST UNDERLAYER FILM FORMING COMPOSITION

The present invention provides: a method for producing a semiconductor substrate, the method using a resist underlayer film forming composition that is capable of forming a resist underlayer film having excellent pattern rectangularity; and a resist underlayer film forming composition. The present invention provides a method for producing a semiconductor substrate, the method comprising: a step in which a resist underlayer film forming composition is directly or indirectly applied to a substrate; a step in which a resist film forming composition is applied to a resist underlayer film that is formed by the above-described resist underlayer film forming composition application step; a step in which a resist film that is formed by the above-described resist film forming composition application step is subjected to light exposure by means of radiation; and a step in which at least the light-exposed resist film is developed. With respect to this method for producing a semiconductor substrate, the resist underlayer film forming composition contains a solvent and a polymer that has a repeating unit (1) which comprises an organic sulfonic acid anion moiety and an onium cation moiety. La présente invention concerne : un procédé de production de substrat semi-conducteur, le procédé utilisant une composition de formation de film de sous-couche de réserve qui est capable de former un film de sous-couche de réserve ayant une excellente rectangularité de motif ; et une composition de formation de film de sous-couche de réserve. La présente invention concerne un procédé de production de substrat semi-conducteur, le procédé comprenant : une étape dans laquelle une composition de formation de film de sous-couche de réserve est appliquée directement ou indirectement sur un substrat ; une étape dans laquelle une composition de formation de film de réserve est appliquée à un film de sous-couche de réserve qui est formé par l'étape d'application de composition de formation de film de sous-couche de réserve ci-décrite ; une étape dans laquelle un film de réserve qui est formé par l'étape d'application de composition de formation de film de réserve ci-décrite est soumis à une exposition à la lumière au moyen d'un rayonnement ; et une étape dans laquelle au moins le film de réserve exposé à la lumière est développé. Concernant ce procédé de production de substrat semi-conducteur, la composition de formation de film de sous-couche de réserve contient un solvant et un polymère qui